DRAM 涨价潮即将来临，预计提价 20%。
据媒体 1 月 3 日报道，内存模块行业传出消息称，三星电子和美光等主要内存制造商计划在 2024 年第一季度上调 DRAM 的价格，幅度预计在 15% 到 20% 之间。
业界分析认为，此举主要是为了改善盈利状况，其中价格上涨的重点将从 NAND Flash 转移到 DRAM，尤其是 DDR4 和 DDR5 这两种类型的 DRAM，本轮内存价格的上涨趋势预计将持续到 2024 年底。
大摩预计三星将通过内存涨价快速提高利润率，上调三星的盈利预测。
供给触底，需求回升
据报道，由于先前 DDR4 的库存偏高，且市场价格表现疲弱，预计 2024 年上半年将重点上调 DDR4 和 DDR5 的价格。12 月 DRAM 的报价仅微幅上调了 2 至 3%，但仍然明显低于 3D TLC NAND 10% 的涨幅。至于 DDR3，由于产能和需求相对稳定，其价格涨幅预计相对平缓，而 NAND 的涨幅虽然尚未明确，但预计将继续上调。
韩国 DRAM 主要制造商在 2023 年下半年已连续两个季度降低 DRAM 的生产率，第四季度晶圆产出已达到谷底。例如，三星第四季度 DRAM 产出仅约为 2023 年第一季度的 70% 左右，同时也逐步增加高级制程的产出。
存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善，随着手机和服务器需求逐渐回升，预计 2024 年 DRAM 市场的供应将继续紧张。目前上游原厂筹划调涨 DRAM 报价，下游客户已经开始补低价库存和备货。
摩根士丹利也在此前报告中指出：
下游客户已经开始补库存，中国智能手机 OEM 厂 2024 年 Q1 订单量将大幅增加，电脑 ODM/OEM 也在建立库存。而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水平 ( 移动 DRAM 需要 4-6 周，NAND 需要 6-7 周 ) 。
从供需方面来看，存储厂商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着着需求的改善，2024 年的价格上涨前景将更加明确。
此外，大摩指出，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘需求将变得越来越普遍 ( 移动人工智能 ) ，并可能逐渐进入智能手机升级周期。
需求尚未稳定，但内存股已开始进入乐观阶段
但市场需求尚未稳定，DRAM 价格能否如同 NAND Wafer 那样强劲上涨，还需观察农历新年后的市场需求情况。
业内认为，市场实际购买力并未完全复苏，短期内交易需求较为平淡，预计第一季度上半及农历新年前，终端市场将保持观望态度。第一至二季度将是关键，如果主要应用的出口需求顺利衔接，内存行业的繁荣局面将得以确立，产业供不应求的情况将成为必然。预计供应给 OEM 厂的合约价将在第二季度全面反映 DRAM 的涨势。
大摩认为，随着每股收益同比增长加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期 / 乐观阶段，DRAM 现货价格同比为 -16%，距离峰值水平仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从 2023 年第一季度的低点恢复，进入 2024 年将进一步改善。
美股内存股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。
